Föreliggande rapport behandlar halvledares transienttålighet. Prov har utförts på ett antal olika transistortyper för tider mellan 10**-8 s och 1000 s på tillförd puls. Transistorernas effekt-, energi-, spännings- och strömtålighet har därvid undersökts med avseende på pulstiden. En kvalitativ jämförelse mellan uppställd teori och de i provet erhållna resultaten har gjorts. Av undersökningen framgår att både spännings-, ström- och effekttåligheten ökar avsevärt vid minskad pulstid. Energitåligheten däremot sjunker, men inte linjärt med avtagande pulstid. Vid tillräckligt små pulstider är effekttåligheten nästan konstant.