Sammanfattning Fälteffekten i en MOS-transistor (Metal-Oxid--emiconductor) kan under vissa betingelser användas för defektering av mycket små laddningsförändringar och laddningsförskjutningar i materiel. Förberedande försök har inletts med kolinesteras (ChE) för att undersöka om denna MOS-transistor går att använda för nervgasindikering. Försöken har visat att ChE i buffertlösning, adsorberar till några valda ytor (behensyra, sterylamid, hydrofob och hydrofil yta, platina och guld). Skikten varierar i tjocklek (2-3 nm) för olika ytor men tycks inte desorberas. Om skikten innehåller aktivt ChE har ännu inte undersökts. Teoretiska beräkningar för en laddningsförändring ger en minsta detekterbar mängd vervgas, med ChE på styret till en MOS-transistor, av 20.10-18 g. Sker inhiberingen enbart med en laddningsförskjutning kan en ändring på 0,1 nm detekteras med 0,6.10-15 g nervgas. Molekylvikten för nervgasen har satts till 500. En kapacitansmetod för registrering av tjockleksförändringar i molekylskikt på platinaelektroder kan med speciella molekyler eventuellt användas för nervgasindikering.